Top100
Поиск рефератов [+]

Студик.ру / Рефераты / Радиоэлектроника /

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1

УПИ УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17 Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет Радиотехника Курс: 3

Работу не высылать. УПИ УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17 Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет Радиотехника Курс: 3

Работу не высылать. Аннотация.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Диод 2Д510А

Краткая словесная характеристика диода.

Диод кремниевый эпитаксиально- планарный. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода. Масса диода не более 0,15 г.

Паспортные параметры.

Электрические параметры: Постоянное прямое напряжение при не Iпр=200 мА более: при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В Постоянный обратный ток при Uпр=50 В, не более: при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА Заряд переключения при Iпр=50 мА, Uобр,и=10 В, не более ………………. 400 пКл Общая ёмкость диода при Uобр=0 В, не более ………………………………… 4 пФ Время обратного восстановления при Iпр=50 мА, Uобр,и=10 В, Iотсч=2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс

Предельные эксплуатационные данные: Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В Постоянный или средний прямой ток: при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА Импульсной прямой ток при фи ? 10 мкс (без превышения среднего прямого тока): при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до 393 К

Семейство вольтамперных характеристик:

Iпр,мА200160120804000,40,81,21,62,0Uпр,В

Расчёты и графики зависимостей:

1) сопротивление постоянному току R=и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К. Зависимость тока от прямого напряжения:

Iпр,мА200 I8180160140120100 806040 20 I100,10,20,30,40,50,60,7 U10,80,91,01,1 U8Uпр,В

I1=10 мА, U1=0,63 В, R1=U1 / I1=0,63 / 10 мА=63 Ом I2=20 мА, U2=0,73 В, R2=U2 / I2=0,73 / 20 мА=36,5 Ом I3=40 мА, U3=0,81 В, R3=U3 / I3=0,81 / 40 мА=20,3 Ом I4=60 мА, U4=0,86 В, R4=U4 / I4=0,86 / 60 мА=14,3 Ом I5=80 мА, U5=0,90 В, R5=U5 / I5=0,90 / 80 мА=11,3 Ом I6=120 мА, U6=0,97 В, R6=U6 / I6=0,97 / 120 мА=8,03 Ом I7=160 мА, U7=1,03 В, R7=U7 / I7=1,03 / 160 мА=6,4 Ом I8=200 мА, U8=1,10 В, R8=U8 / I8=1,10 / 200 мА=5,5 Ом

ДI1=10 мА, ДU1=0,10 В, r1=ДU1 / ДI1=0,10 / 10 мА
=10 Ом ДI2=20 мА, ДU2=0,08 В, r2=ДU2 / ДI2=0,08 / 20 мА=4 Ом ДI3=20 мА, ДU3=0,05 В, r3=ДU3 / ДI3=0,05 / 20 мА=2,5 Ом ДI4=20 мА, ДU4=0,04 В, r4=ДU4 / ДI4=0,04 / 20 мА=2 Ом ДI5=40 мА, ДU5=0,07 В, r5=ДU5 / ДI5=0,07 / 40 мА=1,7 Ом ДI6=40 мА, ДU6=0,06 В, r6=ДU6 / ДI6=0,06 / 40 мА=1,5 Ом ДI7=40 мА, ДU7=0,07 В, r7=ДU7 / ДI7=0,07 / 40 мА=1,7 ОмЗависимость сопротивления постоянному току R=от прямого напряжения Uпр:

R=,Ом70 R16050 403020 10 R800,10,20,30,40,50,60,7 U10,80,91,01,1 U8Uпр,В Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр:

r~,Ом10987 65 432 1 00,10,20,30,40,50,60,7 U10,80,91,01,1 U7Uпр,В Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр:

Iобр,мкА5,0 I74,54,03,53,02,5 2,01,51,0 0,5 I10510152025303540 U14550 U7Uоб,В

I1=0,25 мкА, U1=37 В, R1=U1 / I1=37 / 0,25 мкА=148 МОм I2=0,50 мкА, U2=40 В, R2=U2 / I2=40 / 0,50 мкА=80 МОм I3=1,00 мкА, U3=42 В, R3=U3 / I3=42 / 1,00 мкА=42 МОм I4=2,00 мкА, U4=44 В, R4=U4 / I4=44 / 2,00 мкА=22 МОм I5=3,00 мкА, U5=46 В, R5=U5 / I5=46 / 3,00 мкА=15,3 МОм I6=4,00 мкА, U6=48 В, R6=U6 / I6=48 / 4,00 мкА=12 МОм I7=5,00 мкА, U7=50 В, R7=U7 / I7=50 / 5,00 мкА=10 МОм

ДI1=0,25 мкА, ДU1=3 В, r1=ДU1 / ДI1=3 / 0,25 мкА=12 МОм ДI2=0,50 мкА, ДU2=2 В, r2=ДU2 / ДI2=2 / 0,50 мкА=4 МОм ДI3=1,00 мкА, ДU3=2 В, r3=ДU3 / ДI3=2 / 1,00 мкА=2 МОм ДI4=1,00 мкА, ДU4=2 В, r4=ДU4 / ДI4=2 / 1,00 мкА=2 МОм ДI5=1,00 мкА, ДU5=2 В, r5=ДU5 / ДI5=2 / 1,00 мкА=2 МОм ДI6=1,00 мкА, ДU6=2 В, r6=ДU6 / ДI6=2 / 1,00 мкА=2 МОм Зависимость сопротивления постоянному току R=от обратного напряжения Uобр:

R=, МОм160140120100 806040 20 0510152025303540 U14550 U7Uоб,В Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр:

r~, МОм1210 864 2 0510152025303540 U14550 U7Uоб,В

2) График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения:

Сд, пФ4321 020406080UобрВ

Определение величин температурных коэффициентов.

Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр.

Iпр,мА200 16012080 4000,20,40,60,81,0 1,2 U11,41,6 U2Uпр,В I=200 мА, U1=1,5 B, U2=1,1 B, T1=298 K, T2=213 K

Iобр,мкА 150 I2125100755025 I1010203040 50 U60UобрВ U=50 B, I1=5 мкА, I2=150 мкА, Т1=298 К, Т2=398 К

Определение сопротивления базы.

Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):

Iпр,мА500 I2400300200 I110000,20,40,60,81,0 1,2 Uпр,В

Тепловой потенциал:

По вольтамперной характеристике определяем:

U1=1,1 В, U2=1,2 В,

I1=200 мА, I2=500 мА

Малосигнальная высокочастотная схема диода и величины её элементов.

Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:

Величины элементов схемы при Uобр=5 В :

Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.. 2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. 3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..
1 2
На сайте:
,
,
Rambler TOP100 Яндекс цитирования