|
|
|
Расчет тонкопленочного конденсатора |
|
ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра "Микроэлектроника"
КУРСОВАЯ РАБОТА
РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
Подготовили ст.гр.97РЮ-2:
Липелис Э.А
Принял:
Юдина Н. И.
Пенза, 1999г.
СОДЕРЖАНИЕ:
1. ВВЕДЕНИЕ стр.
2. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ стр.
3. РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ. стр.
4. МАТЕРИАЛЫ ПОДЛОЖЕК стр.
5. МАТЕРИАЛЫ ПЛЕНОК стр.
6. ПРИМЕР РАСЧЕТА ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА стр.
7. ПРИЛОЖЕНИЕ (Характеристики материалов пленочных конденсаторов) стр.
8. ЭСКИЗ ТОНОКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА
ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ
В некоторых типах гибридных ИМС наряду с резисторами наиболее распространенными пассивными элементами являются пленочные конденсаторы, которые во многом определяют схемотехнические и эксплуатационные характеристики ИМС. Так, качество и надежность большинства линейных гибридных ИМС в значительной мере зависят от качества и надежности тонкопленочных конденсаторов, что определяется их конструкцией и технологией изготовления.
Конструктивно-технологические особенности и основные параметры. В гибридных ИМС применяют тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы с простой прямоугольной (квадратной) и сложной формами (рис. 1). Пленочный конденсатор представляет собой многослойную структуру, нанесенную на диэлектрическую подложку (рис. 1, а). Для ее получения на подложку 1 последовательно наносят три слоя: проводящий 2, выполняющий роль нижней обкладки, слой диэлектрика 3 и проводящий слой 4, выполняющий роль верхней обкладки конденсатора.
?)
Рис. 1. Конструкции пленочных конденсаторов с обкладками прямоугольной формы (а) в виде пересекающихся проводников (б) и "гребенки" (в)
Пленочные конденсаторы характеризуются совокупностью следующих параметров: номинальным значением емкости С; допуском на емкость ±6С; рабочим напряжением Up; добротностью Q или тангенсом угла потерь ; сопротивлением утечки , коэффициентом остаточной поляризации , температурным коэффициентом емкости ТКС; коэффициентом старения ; диапазоном рабочих частот ; интервалом рабочих температур ; надежностью и др.
Конкретные значения этих параметров зависят от выбора используемых материалов для диэлектрика и обкладок, технологического способа формирования самой структуры и конструкции. Конструкция конденсатора должна обеспечивать воспроизводимость параметров при минимальных габаритах в процессе изготовления и совместимость изготовления с другими элементами.
Конструкция (рис. 1, а), в которой контур верхней обкладки вписывается в контур нижней обкладки, предназначена для реализации конденсаторов повышенной емкости (сотни - тысячи пикофарад). Ее особенностью является то, что несовмещение контуров обкладок не сказывается на воспроизведении емкости (для устранения погрешности из-за площади вывода верхней обкладки предусмотрены компенсаторы 5), а распространение диэлектрика за контуры обеих обкладок гарантирует надежную изоляцию обкладок при их предельном несовмещении.
Для конденсаторов небольшой емкости (десятки пикофарад) целесообразна конструкция (рис. 1, б) в виде пересекающихся проводников одинаковой ширины, разделенных слоем диэлектрика. Емкость конденсатора данной конструкции нечувствительна к смещению обкладок из-за неточности их совмещения.
Для реализации высокочастотных конденсаторов применяют гребенчатую конструкцию (рис.
1, в), в которой обкладки имеют форму гребенчатых проводников, а диэлектрик является составным типа "подложка воздух" или "подложка диэлектрическое покрытие".
Значение емкости пленочного конденсатора определяют по известной формуле
где относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика; Sплощадь перекрытия диэлектрика обкладками; d толщина диэлектрика.
Для конденсаторов многослойной структуры, состоящей из последовательно нанесенных диэлектрических и проводящих слоев, емкость
где п количество диэлектрических слоев.
Подобно материалу резистивной пленки слой диэлектрика, параметры и d которого определяют емкость конденсатора, с точки зрения технологичности, воспроизводимости и стабильности свойств характеризуется оптимальным отношением для каждого материала и способа его нанесения. Поэтому емкость С конденсатора удобно выражать через удельную емкость
где Co=0,0885 /dпостоянная величина для каждого материала.
Как следует из ( ), для изготовления конденсаторов с малой занимаемой площадью необходимо применять материалы, характеризующиеся максимальным значением Со, т. е. материалы с максимальной диэлектрической проницаемостью и минимальной толщиной d. Однако минимальная толщина d диэлектрического слоя даже в случае выполнения требований по технологичности и воспроизводимости ограничена значением рабочего напряжения на конденсаторе.
Известно, что электрическая прочность конденсатора определяется выражением
где напряженность электрического пробоя диэлектрика (постоянная величина для каждого материала).
Следовательно, для обеспечения нормальной работы конденсатора необходимо, чтобы
, что возможно при соответствующем выборе толщины диэлектрика. Минимальную толщину диэлектрика определяют из выражения ( ), если :
где коэффициент запаса, принимаемый равным 23 для большинства структур пленочных конденсаторов.
Поэтому рабочее напряжение конденсатора обеспечивается выбором соответствующего материала диэлектрика с определенным значением и необходимой толщиной диэлектрического слоя d.
Допуск, на номинальную емкость С определяется относительным изменением емкости С конденсатора, обусловленным производственными погрешностями и дестабилизирующими факторами из-за изменения температуры и старения материалов. В процессе изготовления пленочного конденсатора возможен разброс его удельной емкости Со и геометрических размеров обкладок. Из выражений ( ) и ( ) следует, что максимальное значение технологической погрешности емкости
где абсолютные погрешности воспроизведения диэлектрической проницаемости, толщины диэлектрика и площади конденсатора соответственно.
Поскольку воспроизведение удельной емкости Со и площади S конденсатора достигается взаимно независимыми технологическими операциями, математическое ожидание относительного отклонения емкости и относительное среднеквадратическое отклонение емкости определяются выражениями
где относительные и абсолютные среднеквадратические отклонения удельной емкости и площади.
Погрешность воспроизведения удельной емкости Со зависит от технологических факторов нанесения слоя диэлектрика, а погрешность воспроизведения площади S кроме технологических факторов зависит от конструкции конденсатора и формы обкладок. В общем случае
где относительные среднеквадратические отклонения линейных размеров А и В, определяющих площадь S=AB; коэффициент корреляционной связи между отклонениями размеров А и В.
Когда размеры А и В верхней
1 2 3 4 ... последняя
|
|
|
|
 |
На сайте: |
, ,
|
