|
|
|
1. Задание на курсовой проект
Требуется разработать регулятор температуры, который будет поддерживать температуру в соответствии с графиком задания Рис. 1.
Точность соответствия температуры заданию должна быть не ниже 12%.
t0C
80
-10
Uвх,В
0 100 200 220
Функциональная схема устройства :
Uп=140+/-30%
Uвх
ЗИ Р СУ VT1
Дt Rн
Требования к узлам устройства:
1. Задатчик интенсивности :
1.1. Uвх0=0 В.
1.2. Uвх1=220 В ; (напряжение сети).
1.3. Время нарастания температуры 32 с.
1.4. Задатчик должен обеспечивать потенциальную развязку от напряжения сети.
2. Система управления импульсным ключом:
2.1. Обосновать выбор типа модуляции.
2.2. Разработать принципиальную схему.
2.3. Рассчитать элементы.
3. Импульсный ключ:
Выбрать требуемый транзистор импульсного ключа
по току и напряжению.
4. Нагревательный элемент :
Мощность нагревательного элемента 250 Вт.
5. Датчик температуры:
Выполняется на диоде.
6. Регулятор :
Пропорционально интегральный регулятор.
2. Импульсный ключ.
Выбор силового ключа производится из расчета максимального напряжения Uкэ max и максимального тока Iк max
Un max=Uн + 30%=182 B=U кэ max
Iн=P/Uн=1.786 A Номинальный ток через транзистор
Imax=U кэ max Iн / Uн Максимальный ток через транзистор
Транзистор выбираем с запасом по току и напряжению 30%.
U кэ max=Uп max + 30%=236 B
I к max=I max + 30%=3.9 A
Выбран транзистор КТ858А , из раздела высокочастотные мощные, со следующими параметрами :
I к max=7А ; U кэ max=400 В ;=10 ; U бэо max=6 В ; U кэ нас=1 В
КIД=/ 3=3.33 Динамический коэффициент передачи по току
Iб max=I max / KIД=0.905 А
3. Система управления импульсным ключом.
3.1. Предоконечный каскад.
Выбор транзисторов в предоконечном каскаде проводится по следующим параметрам :
1. Un < Uбэо max(силового ключа)
2. Iк max=Iб (силового ключа) max + 50%
3. U кэ max=2Un + 30%
Примем Un=5 B
Тогда :
U кэ max=13 В
Iк max=1.358 А
Для как можно большего уменьшения тока управления необходимо в предоконечный каскад поставить транзистор с большим коэффициентом усиления. Важным условием так же является широкая полоса рабочих частот.
По этим параметрам выбран составной высокочастотный транзистор КТ972Б со следующими параметрами :
I к max=4А ; U кэ max=45 В ;=750 ; U бэо max=5 В ; U кэ нас=1.5 В
КIД=/ 3=250 Динамический коэффициент передачи по току
Определим ток базы составного транзистора :
Iб max=Iк max / KIД=0.005 А
Ток базы достаточно мал, значит можно уже использовать микросхему.
Для более быстрого отключения силового транзистора необходимо притянуть накопившиеся на его базе заряды к отрицательному полюсу источника питания.
Для этого необходимо использовать транзистор типа p - n - p .
Произведем выбор этого транзистора .
1. U кэ max=2Un + 30%
2. Iк max=Iб (силового ключа) max + 50%
Выбран транзистор 2Т830А со следующими параметрами :
I к max=2А ; U кэ max=25 В ;=25 ; U бэо max=12 В ; U кэ нас=0.6 В
3.2. Управление ключом поручим АЦП .
K554CA3Б
3 W
4 2
7 Q
R
8 R 9
11 Q
6 +U
-U
Выберем компаратор К554СА3Б со следующими параметрами:
Un=+/-15 B (+/-1.5 В) ; Iпот1 < 7.5 mA ; Iпот0=5 mA ;
Ucм < 7.5 mB ; Iвх ср < 0.25 mkA ;
Для управления импульсным ключом необходимо на его вход подавать управляющие импульсы, преобразованные из аналоговых сигналов задания и сигнала с датчика температуры. Для этой цели выберем широтно импульсную модуляцию ШИМ - 1. Я реализую ШИМ - 1 модулятор на компараторе. Более точная модуляция в данном проекте не требуется т.к. на входе компаратора сигнал не сложной формы. А ШИМ - 1 более прост в настройке ( легко можно посмотреть на экране осциллографа ). На один вход компаратора подаются контрольные импульсы с генератора пилообразных импульсов. На другой вход компаратора подаются сигнал задания и сигнал с датчика температуры, обработанные определенным образом.
На выходе компаратора образуются управляющие импульсы.
3.3. Генератор пилообразных импульсов.
Генератор пилообразных импульсов сделаем на основе генератора прямоугольных импульсов построенного на логических элементах.
Генератор прямоугольных импульсов построим на основе микросхемы К561ЛН2 ,выполненной по технологии КМОП . Эта микросхема содержит 6 логических элементов НЕ три из которых мы используем. На входы оставшихся трех элементов подадим логический уровень 1 .
+15 B
R4
1 1 1 R7 VT
C2
R1 R2 R3 C1
VD
Произведем расчет и выбор навесных элементов микросхемы.
Генератор будем строить на частоту f=10 Кгц , что соответствует периоду Т=100 мкС .
Из этого условия выбираем сопротивление R4, принимая величину емкости С2=820 пФ.
R4 C2=100мкС R4=1.22 105
Из ряда резисторов выбран номинал R4=130 Ком .
Величина параллельного сопротивления резисторов R2 R3 должна находиться в пределах от 3 до 4 кОм, чтобы не перегрузить логический элемент по току.
Пренебрегая R2 выберем R3=3.6 кОм .
Длительность импульса на выходе последнего логического элемента должна находиться в пределах 1...2 мкс. Примем длительность импульса tи=1.5 мкс. В моей схеме длительность импульса определяется С1 R3=tи . Отсюда определим величину емкости С1.
С1=4.167 10-10 Ф
Выберем величину емкости С1 из ряда емкостей С1=3.9 10-10.
С1 R3=1.404 мкС. Это значение удовлетворяет нашему промежутку.
В моей схеме период импульса определяется С1 R2=Т.
Отсюда найдем величину сопротивления R2
R2=2.564 105 Ом
Из ряда резисторов выберем номинал R2=2.7 105 Ом.
Величина сопротивления R1 должна находиться в пределах
10...500 Ком . Примем R1=100 Ком.
Транзистор в этой схеме выбран КТ603А со следующими параметрами Ikmax=0.3 A ; UКЭ=30 В ;=80 .
Резистор R7 выбираем по току базы транзистора .
Ik=Ikmax - 30%=0.21A
Iб=Ik /=2.625 mA
R7=Un / Iб=5714 Ом
Из ряда резисторов выбираем номинал R7=5.6 Ком
4. Блок питания
-Uвх СТ -Uвых -15В
+Uвх +Uвых +15В
220 В
GND
+5В
-5В
Блок питания требуется с двумя двухполярными источниками. Одним пяти вольтовым источником , для питания импульсного ключа, и вторым пятнадцати вольтовым источником питания , для микросхем .
Для питания импульсного ключа стабилизатор напряжения не нужен, и я использую простую схему диодный мост VD11 - VD14 марки КД209 и конденсаторы С14=С15=100 мкФ и С12=С13=0.01 мкФ .
Для остальных элементов требуется стабильное напряжение питания. Выбор стабилизатора происходит по следующим параметрам : Uст=+/-15 +/-1.5 В ; Iст >=0.04 .
1 2
|
|
|
|
 |
На сайте: |
, ,
|
